RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
75
Wokół strony -213% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
2631
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link