RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1954
3366
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link