RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Porównaj
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2510
1870
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905428-105.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link