RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
77
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
1549
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link