RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Porównaj
Kingston KF552C40-16 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Kingston KF552C40-16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KF552C40-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3343
2062
Kingston KF552C40-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link