RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
3199
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link