Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

Wynik ogólny

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Wynik ogólny

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

4 21

Średnia wartość w badaniach

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

25 59

Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

19.4 1,855.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 5300

Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

59 25
Prędkość odczytu, GB/s

4,168.0 21.0
Prędkość zapisu, GB/s

1,855.7 19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps

5300 17000

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

680 4129

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F3-2400C11-4GSR 4GB

G Skill Intl F3-2400C11-4GSR 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Kingston 9965640-006.A01G 32GB

Kingston 9965640-006.A01G 32GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston 9905665-020.A00G 4GB

Kingston 9905665-020.A00G 4GB