RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
2346
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link