RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
71
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1631
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link