RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3168
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link