RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1866
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link