RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3210
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link