RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2408
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link