RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1799
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link