RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3823
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link