RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
40
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2288
2782
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link