RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
48
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
14900
Wokół strony 1.72 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
48
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
25600
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2696
3047
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link