RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2445
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link