RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3208
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link