RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2623
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link