RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2665
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link