RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3007
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link