RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
51
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
45
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2036
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link