RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
51
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2298
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link