RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
51
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3483
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link