RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2124
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link