RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
Mushkin 991586 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 991586 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Mushkin 991586 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2156
2641
Mushkin 991586 2GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link