RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
36
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2340
2760
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link