RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3037
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link