RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2340
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link