RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
92
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3693
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link