RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
92
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
56
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2200
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link