RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
92
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
60
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2359
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link