RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
92
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
67
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
1798
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link