RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2431
3495
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link