RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
48
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
48
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2431
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link