RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
61
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
3237
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link