RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
54
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2553
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link