RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2713
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link