RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 31 32 33 34 35 36 37
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2779
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link