RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
72
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
3257
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link