RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
72
Wokół strony -227% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
3036
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link