RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
72
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
59
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2181
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link