RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3131
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link