RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2283
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link