RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
2804
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link