RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
48
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
48
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1804
2282
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link