RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
76
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
76
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1809
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link