RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3208
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link