RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
71
Wokół strony -274% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3855
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link